五十纳米以内的高端芯片制造。
而第二代的I光源才是主要用于三百六十五纳米左右的芯片制造。
不过第三代光源深紫外光（DUV）也已经有了。
只是这会还不是很稳定并不能形成产能。
而第四代光源技术极紫外光（EUV）现在所有人都没有头绪。
全球所有的光刻机制造领域几乎都卡在这个地方。
虽然芯片生产已经尝试向着第三代光源靠近。
但量产的其实还是在第二代附近转悠。
英特尔公司的奔腾系列和AM公司的K系列用的都是第二代光源量产的产品。
全球的光刻机市场，实际上还是第二代光源技术在坐庄。
说到这个时间节点的光刻机制造水平。
以长岛国的两个品牌为主。
而苏翰说的国产光刻机之前还处于第一代的水平。
说完了光源问题又要说说曝光工艺的问题。
毕竟光源和生产工艺缺一不可。
现在的光刻机曝光工艺总共分为三种。
第一种接近式曝光。
第二种接触式曝光。
第三种投影式曝光。
接触式曝光精度很高。
但接触式曝光需要接触晶圆片，容易造成晶圆片和掩膜版的损伤，良品率低，成本高，不适合大规模生产。
现在几乎没人用了。
接近式曝光，虽然不触碰晶圆片，没有损伤，良品率也高。但接近式曝光也有自己的问题，就是有光线衍射问题，光线衍射以后分辨率低。想要提高良品率，只能损失分辨率。
生产处的芯片精度太差自然也没人用了。
投影式曝光会在掩膜版和光刻胶之间使用透镜聚光来提高分辨率。
所以投影式曝光工艺是眼下芯片加工的主要工艺。
不过投影式曝光只是大方向。
下面还有不同的加工工艺分支。
如进步式、扫描式、离轴同轴等等……
其实芯片制造的难点就在这些加工工艺上了。
不同的加工工艺代表了不同的生产速度和良品率。
生产效率自然不可同日而语。
而国内的光刻机之前的光源技术还停留在一代的水平。
虽然曝光工艺也是投影式，但曝光工艺落后，生产速度和效率不行。
而苏翰说的突破，分三个层面，一个是光源上的突破，一个就是曝光工艺上的突破,还有各种生产材料上的突破。
以前的国产光刻机是一代G光源。
经过一年多的辛苦研发。
终于突破到了二代I光源。
毕竟这会的光刻机光源技术还没有未来那么变态。
只要钱到位突破起来还是有可能的。
制约芯片生产主要是投影式曝光的工艺流程。
苏翰对光刻机的相关知识其实了解的并不多,但他知道很多芯片设计图纸，其实从这些图纸上他就能推算出对方的工艺顺序到底是什么。
毕竟他是精通芯片设计的，只是不精通设备生产和制造而已。
不过有了工艺顺序，起码有个模糊的答案。
虽然答案并不能保证百分之百准确。
但苏翰并不是要百分之百准确的答案。
百分之百准确不是抄袭别人了吗。
这样容易惹起知识产权的纠纷。
苏翰只是给光刻机生产团队一个工艺思路，剩下的就叫光刻机生产团队自己去想办法。
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